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MOSFET

BlueMOS

新一代BlueMOS™器件在芯片设计、晶圆加工和器件封装方面均进行了技术改进,全面提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg),减少了开关损耗,从而能够降低功耗并提高效率。

BlueMOS™技术全面提升了产品的导通电阻温度特性,有效控制了器件导通电阻随温度增加而上升的幅度,从而显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。

配合先进的封装技术,BlueMOS™产品致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度,同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理和电能转换。

目前推出的量产品种包含30V~150V的电压系列,同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择。

BeSTMOS

BeSTMOS™系列产品是蓝矽推出的一种新型超级结(Super-Junction)功率器件。BST即“蓝矽科技”英文缩写,意喻BeSTMOS™是蓝矽科技推出的业界最好的MOSFET。BeSTMOS™系列产品采用了蓝矽的多项自主专利技术,并且由国际一流晶圆厂和国内先进封测公司代工。额定电压范围为600~700V,封装形式包括TO-220, TO-247,TO-3P,TO-3PF等。

BeSTMOS™系列产品成功克服了常规超级结所存在的低成品率、EMI超标等难题,性能达到了国际一流品牌的水平,大幅领先于一般国内功率器件供应商。相对于其他公司的超级结器件,蓝矽的BeSTMOS™ 系列产品具备更好的EMI、效率和可靠性上的Trade-off等特点,采用BeSTMOS™系列产品可以实现低功耗设计并达到绿色环保要求。



IGBT

IGBT

Blue Silicon的IGBT产品,基于Trench结构的Field Stop技术,在改善动态性能的同时,还可以明显降低饱和压降。受惠于良好的导通和开关损耗,可以保证各类应用下获得极好的效率。 

同时,我们的产品具备优异的可靠性和鲁棒性。蓝矽科技即将推出BlueIGBT TM系列产品,电压范围从600V-1200V,包括TO220TO220FTO247,TO-3P等主流封装形式。



GaN

GaN

氮化镓实现了硅材料从未达到的高速度、高效率和更高功率密度。 

氮化镓固有的较低栅极和输出电容支持以兆赫兹级的开关频率运行,同时降低栅极和开关损耗,从而提高效率。不同于硅,氮化镓不需要体二极管,因而消除了反向恢复损耗,并进一步提高了效率、减少了开关节点振铃和EMI。氮化镓的导电效率是硅的1000倍以上,而制造成本却比硅低。 

蓝矽科技与业界领先的晶圆厂合作,即将推出BlueGaNTM系列产品,包含100V, 200V, 650V的增强型HEMT,主要参数媲美英飞凌、松下、GaN Systems等公司的产品。



SiC

SiC

碳化硅与硅材料相比,在多个方面有明显的优势。具有宽禁带(硅的2~3倍)、高击穿场强(硅的10倍)、高的热导率(硅的3倍)和更强的抗辐射能力。基于SiC的MOSFET最适用于高击穿、高功率的高频应用。与硅相比,诸如RDS(on)等器件参数随温度的变化较小。这使工程师能够在设计中实现更小的极限,从而实现更高的性能。

蓝矽科技即将推出的BlueSiCTM系列产品包括1200V碳化硅场效应管,650-1200V 碳化硅肖特基二极管